另一个🆏🎡💧时空，光刻机的发展经过了一个漫长的过程，1960年代的接触式光刻机、接近式光刻机，到1970年🖐代的投影式光刻机，1980年代的步进式光刻机，到步进式扫描光刻机，到浸入式光刻机和8102年的E💔UV光刻机，设备性能不断提高，推动集成电路按照摩尔定律往前发展。
曝光光源方面，从1960年代初到1980年代中期🖋，汞灯已用于光刻，其光谱线分别为436ng线）、405nh线）和365ni线）。然而，随着半导体行业对更高分辨率（集成度更高和速度更快的芯片）和更高产量（更低成本）的需求，基于汞🔹灯光源的光刻工具已不再能🙉够满足半导体业界的高端要求。
1982年，IBM的KantiJain开创性的提出了“exbsp;laserlithography（准分子激光光刻）”，并进行了演示，现在准分子激光光刻机器（步进和扫描仪）在球集成电路生产中得到广泛使用。在在发展的30年中，准分子激光光刻技术一直是摩尔定律持续推进的关键因素。使得芯片制造中的最小特征尺寸从1990年的500nnbsp;推进至2016年10n再到8102年的台积电和三星实现量产的7nnbsp;产🕄品。
这其中，汞🍗灯的436ng线）💡📗🚻、405nh线）和365ni线），准分子激光248🇸🝓n指的是光刻机用来光刻的曝光光源。
1971年Intel公司推出的10微米球第一款4004微处理器，再到1980年2微米工艺的256KbDRAM，1984🚟年1微米工艺的1MbDRA👩🚵M，再到1991年此时即将问世的0.35微米工艺的64MbDRAM……10微米到0.35微米，指的是通过光刻机光刻等工艺，在芯片内部中，晶体管之间或者线最小可以做到的距离。
微米和纳米的概念，到底有多宽💡📗🚻或者多细，大家可以体会一下：
1毫米（）等于10🉇🅋00微米（μ，一微米（）等于100💝0纳米（n。
而成年男性的头发直径一般在40到80微米之间，女性的头🃎🖩发直径则一般在20微米到40微米之间，小孩子的头发则是40微米左右🃜😬。
也就是说，此时工🜻艺为1微米的芯片中，晶体管的线宽大概是小孩头发直径的1/40；换而言之，直径40微米的头发横切🄁🏸之后的面积上，按照1微米的工艺光刻，可以光刻20-30个晶体管！
而光🆙刻工艺越好，工艺制👆🆥程越小，芯片集成度越高，性能越好，功耗越低。
所以，电子产品不断追求卓越性能的背后，👾🎜👺是芯片的处理能力的不断上升！而反应到芯片生产厂家和芯片制造设备上，就是对芯片制程工艺的不断缩小和光刻机等设备光刻特征尺寸的不断缩小。
所以，余子贤一心一想要ASML可以制造出0.8微🖋米工艺制程芯片的PAS5000光刻机，最次也要拿到1.2微米的PAS2300光刻机。甚至不惜，给ASM🅄L制造一些紧张气息，透露PAS5500扫描式步进光刻机的相关信🍳🌉☺息！
“你怎么🖌👌知道我们PAS5500型光刻机即将🕨上世的？”💝里托斯·基维先生站了起来，怼着余子贤的脸，严肃的问道！
“里托斯·基维先生，我们的合作的可能已经消失了……所以，很抱歉，我不⛆😋可能告诉你原👅因的！”
“不不……余先生，一切皆有可能！”
“走吧🆏🎡💧……”余子贤🉇🅋直接带头站了起来，带着其他几个人向外走🚺去！
余子贤就这样走出去，虽然更多的是想给ASML一些压力，让他们退让，愿意以合理价格出售自己想要的光刻机！就算是1微米的PAS2500出售有困难，但是如果🅄ASML可以无偿将1.5微米的PAS2300升级到1.2微米，倒也不是不可以接受。