另🝄一个时空，光刻机的发展经过了一个漫长的过程，1960年代的接触式光刻机、接近式光刻机，到1970年代的投影式光刻机，1980年代的步进式光刻机，到步进式扫描光刻机，到浸入式光刻机和8102年的EUV光刻机，设备性能不断提高，推动集成电路按照摩尔定律往前发展。
曝光光源方面，从1960年代初到1980年代中期，汞灯已用于光刻，其光谱线分别为436ng线）、405nh线）和365ni线）。然而，随着半导体行业对更高分辨率（集成度更高和速度更快的芯片）和更高产量（更低成本）的需求，基于汞灯光源的光刻工具已不再能够满足半导体业界的高端要🚽😳求。
1982年，IBM的📶🟖🝈KantiJain开创性的提出了“exbsp;laserlithography（准分子激光光刻）”，并进行了演示，现在准分子激光光刻机器（步进和扫描仪）在球集成电路生产中得到广泛使用。在在发展的30年中，准分子激光光刻技术一直是摩尔定律持续推进的关键因素。使得芯片制造中的最小特征尺寸从🍏🖷1990年的500nnbsp;推进至2016年10n再到8102年的台积电和三🞧星实现量产的7nnbsp;产品。
这其中，汞灯的👄🆒436ng线）、405nh线）和3🅑🅶65ni线），准分子激光248n指的是光刻机用来光刻的曝光光源。
1971年Intel公司推出的10微米球第一款4004微处理器，再到1980⚑🐨年2微米工艺的256Kb🌠🀛♋DRAM，1984年1🍆微米工艺的1MbDRAM，再到1991年此时即将问世的0.35微米工艺的64MbDRAM……10微米到0.35微米，指的是通过光刻机光刻等工艺，在芯片内部中，晶体管之间或者线最小可以做到的距离。
微米和纳米的概念，到底有多宽或者多细，大🁼家可以体会🔒⛬🝟一下：
1毫米（）等于1000微米⚤📓🚝（μ，一微米♆🆊🍵（🁼）等于1000纳米（n。
而成年男性的头发直径一般在40到80微米之间，女性的头发直径则一般⚡💼在20微米到40微米之间，小孩子的头发则是40微米左右。
也就是说，此时工艺为1微米的芯片中，晶体管的线宽大概是小孩头发直径的1/40；换而言之，直径40微米的头发横切之后的面积上，按照1微米的工艺光刻，可以光😮刻20-30个晶体管！
而光刻工艺越🅒好，工艺📶🟖🝈制程越⚤📓🚝小，芯片集成度越高，性能越好，功耗越低。
所以，电子产品不断追求卓越性能的背后，是芯片的处理能力的不断上升！而反应到芯片生产厂家和芯片制造设备上，🏲就是对芯片制程工艺的不😒🀶断缩小和光刻机等设🄵🁽备光刻特征尺寸的不断缩小。
所以，余子贤一心一想要ASML可以制造出0.8微米工艺制程芯片的PAS5000光刻机，最次也要拿到1🌠🀛♋.2微米的PAS2300光刻机。甚至不惜，给ASML制造一些紧张气息，透露PAS5500扫描🚛式步进光刻机的🕞相关信息！
“你怎么知道我们PAS5500型光刻机即将上世的？”里托斯·基维先生🌎站了起来，怼着余子贤的脸，严肃的问🜉道！
“里托斯·基维先生，我们的合作的可能已经消失了……所以，很抱歉，我不可能告🞩🖷🗒诉你原因的！”
“不不……余先生，一切皆有可能！”
“走吧……”余👄🆒子贤直接带头站了起来，带着其他几个人向👧外走去！
余子贤就这样走出去，虽♝🇰然更多的是🎛想给ASML一些压力，让他们退让，愿意以合理价格出售自己想要的光刻机！就算是1微米的🍯PAS2500出售有困难，但是如果ASML可以无偿将1.5微米的PAS2300升级到1.2微米，倒也不是不可以接受。